濺射靶材是在濺射鍍膜過程中，高速帶電粒子所轟擊的材料。可以通過調整靶材的種類，來得到不同的薄膜體系，如Al、Cu、Ta、Ti、W等。

高純鎢靶材

在半導體工業中，鎢薄膜主要用作構成電子部件的材料，例如柵電極或佈線材料。這些電子部件的集成度、可靠性、功能特性和處理速度等要求日益增加。鎢具有低電阻、高耐熱等特性，廣泛用於這些電子部件中，並且很好的滿足了上述需求。鎢薄膜可通過物理氣相沉積（PVD）技術製備得到，即通過濺射具有高密度高純鎢靶材而獲得。

鎢鈦靶材

鎢鈦（WTi）薄膜在半導體和光伏電池行業中可用作Al和Si之間有效的擴散阻擋層，其主要通過物理氣相沉積（PVD）技術、通過磁控濺射WTi合金靶材而獲得。行業中希望獲取高性能的WTi合金靶材，即濺射過程中產生的顆粒數少、得到的薄膜均一性高並且具有優良電性能的靶材。爲了滿足複雜集成電路擴散阻擋層可靠性的要求，WTi合金靶材必須具有高純度和高密度的特性。

鎢硅靶材

鎢硅靶材通過物理氣相沉積技術（PVD）製備得到鎢硅薄膜，應用在半導體、特別是存儲器，如DRAM中，充當有效的柵極歐姆接觸層。半導體領域用的鎢硅靶材在純度、組織結構控制以及靶材組件整體品質一致性等方面具有十分嚴格的要求，其對薄膜的性能起着至關重要的影響。我司製備的鎢硅靶材具有純度高（5N）、緻密性優良（≥99%）、組織均勻且晶粒細小的優勢。

此外，廈門新博88娱乐還可提供WNi、WC等靶材；同時，可以根據客戶的實際需求進行靶材產品的設計開發。

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